Spécifications principales des wafers Silicium que nous tenons en stock :

• Orientation : <100> 
• Croissance : CZ et FZ
• Résistivités : de 0.001 à > 20 000 Ω.cm
• Avec méplats
• Conditionnement : boîte de 25 pièces

Nous pouvons vous proposer des wafers avec des caractéristiques différentes. Il vous suffit de remplir les cases du tableau "Nos produits sur mesure" avec vos propres spécifications. 

Des monocristaux aux wafers polis :

La Rectification d'un wafer Si

Les lingots obtenus via les techniques de Czochralski (CZ) ou "Float Zone" (FZ) sont rectifiés au diamètre souhaité et découpés en cylindres plus courts. Un méplat d’orientation est ajouté pour indiquer l’orientation du cristal (schéma de droite). Pour les wafers de grande taille (8 pouces et plus), une seule encoche pour indiquer l’orientation du wafer, indépendamment du type de dopage, est réalisée.

Découpe des wafers 

Deux techniques les plus courantes pour la découpe des wafers en plaquettes sont la scie annulaire et la scie à fil : 

Scie annulaire : 

Les wafers sont sciés à l’intérieur d’une lame circulaire diamantée. Les wafers présentent une bonne planéité et une bonne rugosité permettant de gagner du temps sur l'étape suivante qu'est le rodage. Le principal inconvénient réside dans le rendement. En effet, les wafers sont découpés unitairement.

Scie à fil

    Afin d’augmenter le rendement, une autre technique consiste à utiliser des scies à fil. Celles-ci sont composées de nombreux fils parallèles qui coupent de nombreux wafers en même temps (schéma à droite). Un long fil d’acier de haute qualité d’un diamètre de 100 - 200 μm est enroulé autour de rouleaux comprenant des centaines de rainures équidistantes et tournant à une vitesse de typiquement 10 m/s. Le lingot de silicium se déplace en applicant une tension sur les fils en mouvement, et découpe le lingot en wafers individuels. Le fil est soit revêtu d’éclats de diamant, soit mouillé avec une suspension de particules abrasives telles que des diamants ou des grains de carbure de silicium.

Cependant, la surface du wafer obtenue est de moins bonne qualité que celle des wafers découpés par une scie annulaire, de sorte que le rodage ultérieur prend plus de temps.

Rodage de la surface (lapping)

Après la découpe, les wafers sont rodés des deux côtés afin

i) d’améliorer la surface (élimination des fissures, rayures et autres défauts)

ii) d’être amincis à l’épaisseur de wafer souhaitée. Les wafers sont rodés entre deux patins tournant à sens opposé et baignés d'une mixture abrasive constituée de particules calibrées de matériaux tels que l'Al2O3 ou le SiC.

Laminage (etching) 

La découpe et le rodage des wafers entrainant une dégradation de la structure cristalline de la surface du silicium, il est nécessaire de les traiter avec des agents de gravure à base de KOH ou de HNO3/HF afin d’éliminer la surface endommagée.

Polissage

Après la gravure, afin d'obtenir une rugosité de l'ordre du nanomètre, les wafers doivent être polis. Le polissage des wafers est un processus en plusieurs étapes utilisant une suspension ultrafine avec des grains de 10 à 100 nm constitués par exemple de Al2O3, SiO2 ou CeO2 qui, combinés à la pression, érodent et lissent mécaniquement et chimiquement la surface des wafers entre deux tampons rotatifs.

Nettoyage

Enfin, les wafers sont nettoyés à l’aide de produits chimiques ultra-purs afin d’éliminer les agents de polissage et de les rendre ainsi sans résidus.